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Ce:Lu2SiO5晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設備中，比如機場，火車站，自定義端口以及石油勘探領域。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Ce:Lu2SiO5晶體基片
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| 技術參數(shù)
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晶體結構： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=12.36b=6.644 c=10.25 β=102.40 | 純度： | >99.99％ | 密度： | 7.4g/cm3 | 硬度： | 5.8( mohs) | 熔點： | 2047℃ | 熱膨脹： | 19.5 10-6/K | 折射率： | 1.82 | 發(fā)射波長： | 418nm | 生長方法： | 布里奇曼 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （001） 摻Ce摩爾比0.175% | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<15A |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封
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